A palavra "transistor" é uma combinação das palavras "transferência" e "varistor". O termo descreve como esses dispositivos funcionavam em seus primeiros dias. Os transistores são os principais blocos de construção da eletrônica, da mesma forma que o DNA é o bloco de construção do genoma humano. Eles são classificados como semicondutores e vêm em dois tipos gerais: o transistor de junção bipolar (BJT) e o transistor de efeito de campo (FET). O primeiro é o foco desta discussão.
Existem dois tipos fundamentais de acordos BJT: NPN e PNP. Essas designações referem-se aos materiais semicondutores do tipo P (positivo) e do tipo N (negativo) a partir dos quais os componentes são construídos. Todos os BJTs, portanto, incluem duas junções PN, em alguma ordem. Um dispositivo NPN, como o nome sugere, tem uma região P imprensada entre duas N regiões. As duas junções nos diodos podem ter polarização direta ou polarização reversa.
Esse arranjo resulta em um total de três terminais de conexão, cada um dos quais com um nome que especifica sua função. Estes são chamados de emissor (E), base (B) e coletor (C). Com um transistor NPN, o coletor é conectado a uma das N porções, a base à porção P no meio e o E à outra porção N. O segmento P é levemente dopado, enquanto o segmento N na extremidade do emissor é fortemente dopado. É importante ressaltar que as duas partes N em um transistor NPN não podem ser trocadas, pois suas geometrias são completamente diferentes. Pode ajudar pensar em um dispositivo NPN como um sanduíche de manteiga de amendoim, mas com uma das fatias de pão sendo uma peça final e a outra do meio do pão, tornando o arranjo um pouco assimétrico.
Um transistor NPN pode ter uma configuração de base comum (CB) ou um emissor comum (CE), cada um com suas próprias entradas e saídas distintas. Em uma configuração de emissor comum, tensões de entrada separadas são aplicadas à porção P da base (VSER) e o coletor (VCE). A voltagem VE em seguida, deixa o emissor e entra no circuito do qual o transistor NPN é um componente. O nome "emissor comum" está enraizado no fato de que a parte E do transistor integra tensões separadas da parte B, e a parte C emite-as como uma voltagem comum.