「トランジスタ」という言葉は、「転送」と「バリスタ」という言葉を組み合わせたものです。 この用語は、これらのデバイスが初期にどのように機能したかを表します。 DNAがヒトゲノムの構成要素であるのとほぼ同じように、トランジスタは電子機器の主要な構成要素です。 それらは半導体に分類され、バイポーラ接合トランジスタ（BJT）と電界効果トランジスタ（FET）の2つの一般的なタイプがあります。 前者がこの議論の焦点です。
BJTの配置には、NPNとPNPの2つの基本的なタイプがあります。 これらの呼称は、コンポーネントを構成するP型（正）およびN型（負）の半導体材料を指します。 したがって、すべてのBJTには、ある順序で2つのPN接合が含まれています。 NPNデバイスは、その名前が示すように、2つのN領域の間に1つのP領域が挟まれています。 ダイオードの2つの接合部は、順方向にバイアスされている場合と逆方向にバイアスされている場合があります。
この配置により、合計3つの接続端子が作成され、それぞれに機能を指定する名前が割り当てられます。 これらは、エミッター（E）、ベース（B）、コレクター（C）と呼ばれます。 NPNトランジスタでは、コレクタはN部分の1つに接続され、ベースは中央のP部分に接続され、Eは他のN部分に接続されます。 Pセグメントは低濃度にドープされていますが、エミッタ端のNセグメントは高濃度にドープされています。 重要なのは、NPNトランジスタの2つのN部分は、形状が完全に異なるため、交換できないことです。 NPNデバイスをピーナッツバターのサンドイッチと考えると役立つかもしれませんが、 パンはエンドピースで、もう1つはミッドローフからのもので、アレンジメントをいくらかレンダリングします 非対称。
NPNトランジスタは、それぞれ独自の入力と出力を持つ共通ベース（CB）または共通エミッタ（CE）構成のいずれかを持つことができます。 エミッタ接地のセットアップでは、ベースからP部分に個別の入力電圧が印加されます（VBE）とコレクター（VCE）. 電圧VE 次に、エミッタを離れて、NPNトランジスタがコンポーネントである回路に入ります。 「エミッタ接地」という名前は、トランジスタのE部分がB部分とは別の電圧を統合し、C部分がそれらを1つの共通電圧として放出するという事実に由来しています。