ツェナーダイオードは、ブレークダウン領域と呼ばれる領域で動作するように特別に構築されたシリコンダイオードです。 このため、これらは電圧レギュレータダイオードとも呼ばれます。
最大定格電圧は、ブレークダウンが発生する前にダイオードが耐えることができる逆電圧の量を指定します。 ほとんどの場合、これは少なくとも50Vです。 逆バイアスされた通常のダイオードの逆電流はゼロになるほど小さいため、ダイオードは開回路と同様に動作します。 ただし、最大定格電圧を超えると逆電流が大きくなり、ダイオードが破壊されます。 この破壊は、逆方向降伏電圧またはピーク逆電圧（PIV）として知られている場所で発生します。 ツェナーダイオードは、逆バイアスされたときに最適に動作するように作成されています。 破壊され、通常のダイオードの絶縁破壊電圧が に達した。 ツェナーダイオードのブレークダウン電圧は、2〜200Vの範囲です。
ダイオードは、回路の電流が変化する間、一定の出力電圧を維持できるため、さまざまな負荷の下で電圧を安定させることができます。 したがって、これらは低電流回路の電圧レギュレータとして最も頻繁に使用されます。 それらは、電圧スパイクや過負荷、または静電気から回路を保護することができます。 ツェナーダイオードは、増幅器回路の基準電圧を生成するためにもよく使用されます。
電圧調整のために、ツェナーダイオードは、示されているように、負荷に平行な逆バイアス位置の回路に配置されます。
ダイオードは、ツェナー効果として知られているもので動作します。 p-n接合は高濃度にドープされているため、狭くなり、強い電界が発生します。 逆バイアスがかかると、この強い電場がイオン化を引き起こし、電子が原子価軌道から引き離されるため、電子は自由になり、流れることができます。