1948 년부터 트랜지스터는 전자 제품에 사용되었습니다. 원래 게르마늄으로 만들어진 최신 트랜지스터는 더 높은 내열성을 위해 실리콘을 사용합니다. 트랜지스터는 신호를 증폭하고 전환합니다. 아날로그 또는 디지털 일 수 있습니다. 오늘날 널리 사용되는 두 가지 트랜지스터에는 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)와 BJT (Bipolar Junction Transistor)가 있습니다. MOSFET은 BJT에 비해 많은 이점을 제공합니다.
TL; DR (너무 긴; 읽지 않음)
신호를 증폭하고 전환하는 데 사용되는 트랜지스터는 현대 전자 시대를 예고했습니다. 오늘날 사용되는 두 가지 주요 트랜지스터에는 양극 접합 트랜지스터 또는 BJT 및 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 또는 MOSFET이 포함됩니다. MOSFET은 이러한 트랜지스터가 실리콘 처리 기술과 더 잘 호환되기 때문에 현대 전자 및 컴퓨터에서 BJT보다 이점을 제공합니다.
MOSFET 및 BJT 개요
MOSFET과 BJT는 오늘날 사용되는 두 가지 주요 트랜지스터 유형을 나타냅니다. 트랜지스터는 이미 터, 컬렉터 및베이스라고하는 3 개의 핀으로 구성됩니다. 베이스는 전류를 제어하고, 컬렉터는베이스 전류의 흐름을 처리하며, 이미 터는 전류가 흐르는 곳입니다. MOSFET과 BJT는 일반적으로 실리콘으로 만들어지며 갈륨 비소로 만들어집니다. 둘 다 전기 화학 센서 용 변환기로 작동 할 수 있습니다.
바이폴라 접합 트랜지스터 (BJT)
BJT (Bipolar Junction Transistor)는 p 형 반도체의 두 접합 다이오드를 결합합니다. n 형 반도체 사이 또는 두 p 형 반도체 사이의 n 형 반도체 층 반도체. BJT는 기본 회로, 기본적으로 전류 증폭기가있는 전류 제어 장치입니다. BJT에서 전류는 트랜지스터를 통해 홀을 통과하거나 양극성이있는 공극과 음 극성이있는 전자를 결합합니다. BJT는 아날로그 및 고전력 회로를 포함한 많은 애플리케이션에 사용됩니다. 그들은 최초의 대량 생산 유형의 트랜지스터였습니다.
금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 (MOSFET)
MOSFET은 마이크로 컴퓨터와 같은 디지털 집적 회로에 사용되는 전계 효과 트랜지스터의 한 유형입니다. MOSFET은 전압 제어 장치입니다. 그것은 산화막으로 다른 단자와 분리 된베이스가 아닌 게이트 단자를 가지고 있습니다. 이 산화물 층은 절연체 역할을합니다. 이미 터와 컬렉터 대신 MOSFET에는 소스와 드레인이 있습니다. MOSFET은 높은 게이트 저항으로 유명합니다. 게이트 전압은 MOSFET이 켜지거나 꺼지는 지 여부를 결정합니다. 켜기 및 끄기 모드 사이에서 전환 시간이 발생합니다.
MOSFET의 장점
MOSFET과 같은 전계 효과 트랜지스터는 수십 년 동안 사용되어 왔습니다. 이들은 가장 일반적으로 사용되는 트랜지스터로 구성되며 현재 집적 회로 시장을 장악하고 있습니다. 휴대 가능하고 저전력을 사용하며 전류를 소비하지 않으며 실리콘 처리 기술과 호환됩니다. 게이트 전류가 부족하면 입력 임피던스가 높아집니다. BJT에 비해 MOSFET의 또 다른 주요 장점은 아날로그 신호 스위치가있는 회로의 기반을 형성한다는 것입니다. 이는 데이터 수집 시스템에 유용하며 여러 데이터 입력을 허용합니다. 서로 다른 저항 사이의 스위칭 기능은 감쇠비 또는 연산 증폭기의 이득을 변경하는 데 도움이됩니다. MOSFET은 마이크로 프로세서와 같은 반도체 메모리 장치의 기초를 형성합니다.