Caratteristiche di ingresso e uscita dei transistor NPN a emettitore comune

La parola "transistor" è una combinazione delle parole "trasferimento" e "varistore". Il termine descrive come funzionavano questi dispositivi nei loro primi giorni. I transistor sono i principali elementi costitutivi dell'elettronica, più o meno allo stesso modo in cui il DNA è l'elemento costitutivo del genoma umano. Sono classificati come semiconduttori e sono di due tipi generali: il transistor a giunzione bipolare (BJT) e il transistor ad effetto di campo (FET). Il primo è al centro di questa discussione.

Esistono due tipi fondamentali di accordi BJT: NPN e PNP. Queste designazioni si riferiscono ai materiali semiconduttori di tipo P (positivo) e di tipo N (negativo) da cui sono costruiti i componenti. Tutti i BJT includono quindi due giunzioni PN, in un certo ordine. Un dispositivo NPN, come suggerisce il nome, ha una regione P racchiusa tra due regioni N. Le due giunzioni nei diodi possono essere polarizzate in avanti o inversa.

Questa disposizione si traduce in un totale di tre terminali di collegamento, a ciascuno dei quali è assegnato un nome che ne specifica la funzione. Questi sono chiamati l'emettitore (E), la base (B) e il collettore (C). Con un transistor NPN, il collettore è collegato ad una delle porzioni N, la base alla porzione P al centro e l'E all'altra porzione N. Il segmento P è leggermente drogato, mentre il segmento N all'estremità dell'emettitore è fortemente drogato. È importante sottolineare che le due porzioni N in un transistor NPN non possono essere scambiate, poiché le loro geometrie sono completamente diverse. Può essere utile pensare a un dispositivo NPN come un panino al burro di arachidi, ma con una delle fette di il pane essendo un pezzo finale e l'altro da metà pagnotta, rendendo un po' la disposizione arrangement asimmetrico.

Un transistor NPN può avere una configurazione a base comune (CB) o a emettitore comune (CE), ciascuno con i propri ingressi e uscite distinti. In una configurazione di emettitore comune, vengono applicate tensioni di ingresso separate alla porzione P dalla base (VESSERE) e il collettore (VCE). Una tensione VE quindi lascia l'emettitore ed entra nel circuito di cui il transistor NPN è un componente. Il nome "emettitore comune" è radicato nel fatto che la parte E del transistor integra tensioni separate dalla parte B e la parte C le emette come una tensione comune.

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