Caractéristiques d'entrée et de sortie des transistors NPN à émetteur commun

Le mot "transistor" est une combinaison des mots "transfert" et "varistance". Le terme décrit comment ces appareils fonctionnaient à leurs débuts. Les transistors sont les principaux éléments constitutifs de l'électronique, de la même manière que l'ADN est l'élément constitutif du génome humain. Ils sont classés comme semi-conducteurs et se déclinent en deux types généraux: le transistor à jonction bipolaire (BJT) et le transistor à effet de champ (FET). Le premier est au centre de cette discussion.

Il existe deux types fondamentaux d'arrangements BJT: NPN et PNP. Ces désignations font référence aux matériaux semi-conducteurs de type P (positif) et de type N (négatif) à partir desquels les composants sont construits. Tous les BJT comprennent donc deux jonctions PN, dans un certain ordre. Un dispositif NPN, comme son nom l'indique, a une région P prise en sandwich entre deux régions N. Les deux jonctions dans les diodes peuvent être polarisées en direct ou en inverse.

Cette disposition se traduit par un total de trois bornes de connexion, chacune d'elles se voyant attribuer un nom spécifiant sa fonction. Ceux-ci sont appelés l'émetteur (E), la base (B) et le collecteur (C). Avec un transistor NPN, le collecteur est connecté à l'une des parties N, la base à la partie P du milieu et le E à l'autre partie N. Le segment P est légèrement dopé, tandis que le segment N à l'extrémité émetteur est fortement dopé. Il est important de noter que les deux parties N d'un transistor NPN ne peuvent pas être interverties, car leurs géométries sont complètement différentes. Il peut être utile de considérer un appareil NPN comme un sandwich au beurre de cacahuète, mais avec l'une des tranches de le pain étant un morceau d'extrémité et l'autre du milieu du pain, rendant l'arrangement quelque peu asymétrique.

Un transistor NPN peut avoir une configuration à base commune (CB) ou à émetteur commun (CE), chacune avec ses propres entrées et sorties distinctes. Dans une configuration à émetteur commun, des tensions d'entrée séparées sont appliquées à la partie P à partir de la base (VÊTRE) et le collecteur (VCE). Une tension VE puis sort de l'émetteur et entre dans le circuit dont le transistor NPN est un composant. Le nom "émetteur commun" est enraciné dans le fait que la partie E du transistor intègre des tensions séparées de la partie B, et la partie C les émet comme une tension commune.

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