Transistorid on valmistatud sellistest pooljuhtidest nagu räni või germaanium. Need on konstrueeritud kolme või enama terminaliga. Neid võib vaadelda kui elektroonilisi ventiile, kuna väike signaal, mis saadetakse läbi keskmise klemmi, juhib voolu teiste kaudu. Need toimivad peamiselt lülitite ja võimenditena. Bipolaarsed transistorid on kõige populaarsem tüüp. Neil on kolm kihti, mille külge on kinnitatud plii. Keskmine kiht on alus ja ülejäänud kahte nimetatakse emitteriks ja kollektoriks.
Transistorite kohta leiate tehnilist teavet nende pakenditelt, tootja andmelehtedelt ja mõnest elektroonikaõpikust või käsiraamatust. Need sisaldavad teavet transistori omaduste ja töö kohta. Kõige olulisemad on võimendus, hajumine ja maksimaalsed hinnangud.
Leidke transistori üldistatud kirjeldus, mis sisaldab teavet selle kohta, kuidas transistori võib vooluringis kasutada. Selle funktsiooni kirjeldatakse nii võimendamise, lülitamise kui ka mõlema funktsioonina.
Jälgige seadme hajuvusastet. See parameeter näitab, kui suure võimsusega saab transistor ohutult hakkama, kahjustamata. Transistore kirjeldatakse tavaliselt võimsuse või väikese signaalina, sõltuvalt selle hinnangu väärtusest. Toitetransistorid suudavad tavaliselt hajutada vatti või rohkem võimsust, samas kui väikeste signaalidega hajutatakse vatti vähem. 2N3904 maksimaalne hajuvus on 350 mW (millivatt) ja seetõttu klassifitseeritakse see väikeseks signaaliks.
Uurige praeguse võimenduse parameetrit Hfe. Seda defineeritakse kui võimendust, kuna väike signaal baasis tekitab kollektoris palju suurema signaali. Hfe-l on minimaalsed ja maksimaalsed väärtused, kuigi mõlemat ei pruugi loetletud olla. 2N3904 Hfe miinimum on 100. Selle kasutamise näitena käsitleme kollektori praegust valemit Icollector = Hfe_Ibase. Kui baasvool Ibase on 2 mA, siis valem ütleb, et kollektoris on minimaalselt 100_2 mA = 200 mA (milliamprit). Hfe-le võib viidata ka beeta (dc).
Uurige maksimaalsete purunemispinge parameetreid. Jaotuspinge on koht, kus transistor lakkab töötamast või hävib, kui sellele antakse sisendpinge selles suuruses. Transistorid ei tohi töötada nende väärtuste lähedal, et nende eluiga ei lüheneks. Vcb on kollektori ja aluse vaheline pinge. Vceo on kollektori ja emitteri vaheline pinge avatud alusega ning Veb on pinge emitterist baasi. 2N3904 Vcb purunemispinge on loetletud kui 60 V. Ülejäänud väärtused on Vceo jaoks 40 V ja Vebi puhul 6 V. Need on summad, mida tuleks tegelikus töös vältida.
Vaadake üle maksimaalsed praegused hinnangud. Ic on maksimaalne vool, mida kollektor suudab käsitseda, ja 2N3904 puhul on see 200 mA. Pange tähele, et need hinnangud eeldavad ideaalset temperatuuri, mis määratakse või võetakse toatemperatuurina. Tavaliselt ei tohiks see ületada 25 kraadi.
Võtke andmed kokku. Mõnede toatemperatuuril olevate 2N3904 transistoride puhul, mille kollektori vool on väiksem kui 200 mA, ja kui võimsuse väärtust ei ületata, on nende võimendus nii väike kui ka 300. Enamiku 2N3904 transistoride võimendus on aga 200.
Asjad, mida vajate
- NPN transistor, näiteks 2N3904
- Transistori andmeleht või pakett
- Sissejuhatav elektroonikatekst
Näpunäited
PNP-transistoride andmelehel on sarnased omadused kui NPN-i transistoridel.