З 1948 року транзистори використовуються в електроніці. Спочатку виготовлені з германію, сучасні транзистори використовують кремній для вищої теплостійкості. Транзистори підсилюють і перемикають сигнали. Вони можуть бути аналоговими або цифровими. Два поширені сьогодні транзистори включають польові транзистори з металооксидом-напівпровідником (MOSFET) і транзистори з біполярним переходом (BJT). MOSFET пропонує ряд переваг перед BJT.
TL; ДР (занадто довгий; Не читав)
Транзистори, використовувані для посилення та перемикання сигналів, провіщали сучасну еру електроніки. Сьогодні два переважні транзистори, що використовуються, включають транзистори з біполярним переходом або BJT, а також польові транзистори з металооксидом-напівпровідником або MOSFET. MOSFET пропонує переваги перед BJT у сучасній електроніці та комп’ютерах, оскільки ці транзистори більш сумісні з технологією обробки кремнію.
Огляд MOSFET та BJT
MOSFET і BJT представляють два основні типи транзисторів, що використовуються сьогодні. Транзистори складаються з трьох штифтів, які називаються емітером, колектором і базою. База контролює електричний струм, колектор обробляє потік базового струму, а випромінювач знаходиться там, де витікає струм. Як MOSFET, так і BJT, як правило, виготовляються з кремнію, з меншим відсотком - з арсеніду галію. Вони обидва можуть працювати як перетворювачі для електрохімічних датчиків.
Біполярний транзистор (BJT)
BJT (біполярний перехідний транзистор) поєднує два перехідних діода від напівпровідника типу p між напівпровідниками n-типу або шаром напівпровідника n-типу між двома p-типами напівпровідники. BJT - це пристрій з контролем струму з базовою ланцюгом, по суті, підсилювачем струму. У BJT струм проходить через транзистор через дірки або вакансії зв'язку з позитивною полярністю, а електрони з негативною полярністю. BJT використовуються у багатьох додатках, включаючи аналогові схеми та схеми великої потужності. Вони були першим серійним типом транзисторів.
Транзистори з польовим ефектом з металооксидом-напівпровідником (MOSFET)
MOSFET - це тип польових транзисторів, який використовується в цифрових інтегральних схемах, таких як мікрокомп'ютери. MOSFET - це пристрій з регулюванням напруги. Він має затворну клему, а не основу, відокремлену від інших клем оксидною плівкою. Цей шар оксиду служить ізолятором. Замість випромінювача та колектора MOSFET має джерело та каналізацію. MOSFET відрізняється високим опором воріт. Напруга на затворі визначає, вмикається чи вимикається MOSFET. Час перемикання відбувається між його режимами увімкнення та вимкнення.
Переваги MOSFET
Польові транзистори, такі як MOSFET, використовуються десятки років. Вони складаються з найбільш часто використовуваних транзисторів, які в даний час домінують на ринку інтегральних схем. Вони портативні, використовують низьку потужність, не витрачають струм і сумісні з технологією обробки кремнію. Відсутність струму затвора призводить до високого вхідного опору. Однією з додаткових головних переваг MOSFET перед BJT є те, що він становить основу схеми з перемикачами аналогових сигналів. Вони корисні в системах збору даних і дозволяють кілька входів даних. Їх здатність перемикання між різними резисторами сприяє коефіцієнту загасання або зміні коефіцієнта підсилення операційних підсилювачів. MOSFET складають основу напівпровідникових пристроїв пам'яті, таких як мікропроцесори.