Das Wort "Transistor" ist eine Kombination aus den Wörtern "Transfer" und "Varistor". Der Begriff beschreibt, wie diese Geräte in ihrer Anfangszeit funktionierten. Transistoren sind die Hauptbausteine der Elektronik, ähnlich wie die DNA der Baustein des menschlichen Genoms ist. Sie werden als Halbleiter klassifiziert und kommen in zwei allgemeine Typen: den Bipolartransistor (BJT) und den Feldeffekttransistor (FET). Ersteres steht im Mittelpunkt dieser Diskussion.
Es gibt zwei grundlegende Arten von BJT-Anordnungen: NPN und PNP. Diese Bezeichnungen beziehen sich auf die Halbleitermaterialien vom P-Typ (positiv) und vom N-Typ (negativ), aus denen die Komponenten aufgebaut sind. Alle BJTs enthalten daher zwei PN-Übergänge in einer bestimmten Reihenfolge. Ein NPN-Gerät hat, wie der Name schon sagt, eine P-Region, die zwischen zwei N-Regionen eingebettet ist. Die beiden Übergänge in den Dioden können in Vorwärtsrichtung oder in Sperrrichtung vorgespannt sein.
Durch diese Anordnung ergeben sich insgesamt drei Anschlussklemmen, die jeweils mit einem Namen versehen sind, der ihre Funktion angibt. Diese werden Emitter (E), Basis (B) und Kollektor (C) genannt. Bei einem NPN-Transistor ist der Kollektor mit einem der N-Anteile verbunden, die Basis mit dem P-Anteil in der Mitte und das E mit dem anderen N-Anteil. Das P-Segment ist schwach dotiert, während das N-Segment am Emitterende stark dotiert ist. Wichtig ist, dass die beiden N-Anteile in einem NPN-Transistor nicht vertauscht werden können, da ihre Geometrien völlig unterschiedlich sind. Es kann hilfreich sein, sich ein NPN-Gerät als ein Erdnussbutter-Sandwich vorzustellen, jedoch mit einer der Scheiben von Brot ist ein Endstück und das andere aus der Mitte des Laibs, was die Anordnung etwas macht asymmetrisch.
Ein NPN-Transistor kann entweder eine Konfiguration mit gemeinsamer Basis (CB) oder eine Konfiguration mit gemeinsamem Emitter (CE) haben, jede mit ihren eigenen unterschiedlichen Eingängen und Ausgängen. Bei einem gemeinsamen Emitteraufbau werden separate Eingangsspannungen an den P-Anteil von der Basis (VSEIN) und der Kollektor (VCE). Eine Spannung VE verlässt dann den Emitter und tritt in die Schaltung ein, deren Bestandteil der NPN-Transistor ist. Der Name "gemeinsamer Emitter" wurzelt in der Tatsache, dass der E-Teil des Transistors separate Spannungen aus dem B-Teil integriert und der C-Teil sie als eine gemeinsame Spannung emittiert.